掃描電鏡成像如何避免樣品表面的充電效應？
日期：2024-01-29
在掃描電子顯微鏡（SEM）成像過程中，樣品表面的充電效應可能會影響圖像質量。充電效應主要是由于電子束與樣品表面相互作用，導致電荷的累積。以下是一些方法，可幫助減輕或避免樣品表面的充電效應：
導電涂層： 在進行掃描電鏡成像前，可以在樣品表面涂覆一層導電性較好的薄層，如金屬或碳。這有助于提高電子的導電性，減少表面充電效應。
樣品預處理： 在樣品進行掃描電鏡成像前，進行一些樣品的預處理步驟，例如金屬涂層、碳涂層或導電涂層，以減輕充電效應。
低電壓成像： 降低掃描電鏡的電子束加速電壓，可以減小電子束與樣品相互作用的強度，減輕充電效應。但需要注意，較低的電壓可能降低圖像分辨率。
工作距離調整： 調整掃描電鏡的工作距離，即樣品到電子透鏡的距離，可以影響電子束的能量分布。通過適當的工作距離調整，可以減輕充電效應。
電荷補償系統： 一些掃描電鏡設備配備了電荷補償系統，可以通過引入相反方向的電子流或離子束來抵消樣品表面的電荷，從而減輕充電效應。
瞬時圖像： 通過在較短時間內獲取圖像，可以減小電子束對樣品的影響，從而減輕充電效應。
避免累積電荷： 盡可能減小電子束對樣品的曝光時間，以避免過長的曝光時間導致電荷的累積。
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作者：澤攸科技
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