如何解決臺(tái)式掃描電鏡中的樣品表面充電問(wèn)題？
日期：2023-08-10
在臺(tái)式掃描電鏡（SEM）中，樣品表面充電問(wèn)題是一個(gè)常見(jiàn)的挑戰(zhàn)，可能會(huì)導(dǎo)致圖像質(zhì)量下降、分析誤差等。充電問(wèn)題通常在非導(dǎo)電樣品（如絕緣體）上更為明顯，因?yàn)殡娮邮c樣品相互作用時(shí)會(huì)導(dǎo)致電子的積聚和充電現(xiàn)象。以下是一些解決臺(tái)式掃描電鏡樣品表面充電問(wèn)題的方法：
導(dǎo)電涂層： 在樣品表面涂覆一層薄的導(dǎo)電涂層，如金屬薄膜或碳薄膜，可以有效地將電子束導(dǎo)入地面，減輕充電效應(yīng)。
真空脫氣： 在SEM操作前，將非導(dǎo)電樣品放置在真空脫氣室中，利用真空環(huán)境去除表面的氣體分子，減少充電效應(yīng)。
低電子束能量： 使用較低的電子束能量來(lái)照射樣品，這可以減少電子束與樣品相互作用，從而降低充電效應(yīng)的影響。但需要注意，較低的電子束能量可能會(huì)導(dǎo)致圖像分辨率下降。
金屬導(dǎo)電膠： 將樣品固定在導(dǎo)電膠上，導(dǎo)電膠可以將電子束引導(dǎo)到地面，減輕充電效應(yīng)。
樣品冷凍： 冷凍樣品可以減少樣品表面的電子排斥效應(yīng)，從而減輕充電問(wèn)題。這在一些特定情況下可能是一個(gè)有效的方法。
透射電鏡（TEM）觀察： 如果充電問(wèn)題無(wú)法解決，可以考慮使用透射電鏡觀察樣品，因?yàn)樵赥EM中樣品通常被薄到足夠薄，以至于充電效應(yīng)不太明顯。
低真空模式： 一些SEM設(shè)備提供低真空模式，可以在減少氣體分子密度的條件下進(jìn)行成像，從而降低充電效應(yīng)。
電子束抑制器： 一些SEM設(shè)備可能配備了電子束抑制器，可以通過(guò)引導(dǎo)電子束到樣品外部來(lái)減輕充電效應(yīng)。
電子束預(yù)處理： 在開(kāi)始成像之前，使用較低的電子束掃描樣品表面一段時(shí)間，這可以幫助消除部分表面充電效應(yīng)。
環(huán)境SEM： 環(huán)境SEM操作在相對(duì)高氣壓下進(jìn)行，可以減少充電問(wèn)題的影響，特別是對(duì)于水分等吸附在樣品表面的情況。
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作者：澤攸科技